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“中国芯”突破寡头垄断要迈三道坎

2018-02-08 10:07:01
来源:南方日报 作者:姚翀 詹心怡 评论:0
导语:今年伊始,已有多家中国企业宣布向半导体存储芯片制造领域发起冲击,面对已有的寡头垄断格局,他们能否取得突破?

  今年伊始,已有多家中国企业宣布向半导体存储芯片制造领域发起冲击,面对已有的寡头垄断格局,他们能否取得突破?

  去年存储芯片产业火热

  知名市场研究公司Gartner近日发布了去年全球半导体市场初步统计报告。报告显示,去年全球半导体收入为4197亿美元,同比增长22.2%。供应不足局面推动存储芯片收入增长64%,它在半导体总收入中的占比达到31%。

  数据显示,作为最大存储芯片供应商,三星在去年半导体市场的份额达到14.6%,首次从英特尔手中夺走第一宝座。自1992年以来,英特尔一直是全球最大芯片制造商。

  存储芯片占据了去年半导体总收入增幅的2/3以上,成为了最大半导体类别。供应不足引发的价格上涨成为了推动存储芯片收入增长的关键动力。去年,NAND闪存芯片价格实现了历史上的首次同比增长,增幅为17%;DRAM内存芯片价格增长了44%。

  三星去年半导体收入为612.15亿美元,同比增长52.6%,市场份额为14.6%,排在第一位;英特尔去年半导体收入为577.12亿美元,同比增长6.7%,份额为13.8%,位居第二,主要受到数据中心处理器收入增长6%的推动。英特尔PC处理器收入只增长1.9%,但是PC的平均售价在经过多年下滑后再次增长;SK海力士去年半导体收入为263.09亿美元,同比增长79%,份额为6.3%,排在第三。

  多家企业要造“中国芯”

  去年与今年交接之际,重大晶元芯片项目落户广州,粤芯12英寸芯片制造项目在中新广州知识城破土动工。项目由广州市金誉集团、半导体专家团队、广州开发区科学城集团共同设立,预计2019年上半年建成投产。该项目投资总额约70亿元,月产3万片12英寸晶圆芯片,投产后年销售收入30亿元,达产后销售收入100亿元,将带动上下游企业形成1000亿元产值。

  除了刚刚落户广州的重大晶圆芯片项目,就在近日,另外三家企业宣布向存储器芯片制造发起冲锋:分别是武汉长江存储的32层3D NAND闪存、福建晋华的32纳米DRAM利基型产品,以及合肥长鑫(睿力)的19纳米DRAM。三家企业都表示,要在2018年年底前将实现试产,开通生产线。而与此同时,紫光也宣布在南京和成都刚再建两个存储器基地。

  一时间,中国迎来了上马存储芯片制造的热潮。

  三星雄霸该领域已久

  自上世纪90年代之后,全球存储器制造呈现寡头垄断的局面。其间奇梦达倒闭,美光兼并了尔必达,导致在DRAM领域全球仅存三家企业:三星、海力士与美光(中国台湾地区的多家加起来占5%,可以忽略不计);而NAND闪存仅存四个联合体:三星、东芝与西数、海力士及美光、英特尔,其中三星占垄断地位,2017年它的DRAM占全球的45.8%,NAND占37%。

  以月产能为例,依去年年初统计,DRAM方面,三星月产能12英寸40万片,海力士30万片,美光33万片;NAND闪存,三星为40万片,海力士为21万片,美光与Intel为27万片,东芝与西数(原闪廸)为49万片。总计全球存储器的月产能约为12英寸硅片240万片。

  正是由于在存储器芯片上的绝对强势地位,三星在去年在半导体收入上一跃成为全球第一,超越了英特尔。

  技术、成本、专利是三道坎

  不过,Gartner预期三星的第一位置可能不会维持太长时间。

  “三星的领先优势并不稳固,主要依靠存储芯片,”Gartner研究副总裁安德鲁·诺伍德(Andrew Norwood)表示,“随着中国扩大存储芯片产能,存储芯片的价格将在2018年走弱,NAND闪存芯片首当其冲。DRAM内存芯片价格也将在2019年下滑。我们预计,三星届时将会损失大量收入。”

  中国企业冲锋存储器芯片制造,是否真有望撼动三星等巨头地位?其实,这背后还有着中国突围半导体产业的一种战略性选择。

  业内人士指出,长期以来,中国在半导体芯片上一直处于弱势地位。中国半导体业面临艰难的抉择,现实的方案是可能在处理器(CPU)与存储器之中二选一。众所周知,处理器已经投入近20年,现在选择存储器,是希冀从另外一个方向突围,有新的斩获。

  不过,从现实情况看,中国存储芯片制造还将面临不小的挑战。“最基本的,产线需要大量的投资。由于存储器产品的特殊性,它的设计相对简单,因此产品的线宽、产能、成品率与折旧,成为成本的最大项目。”

  半导体行业分析师莫大康分析,中国上马存储器制造,可能会面临三个主要难关:技术、成本与价格、专利:对于第一个难关,突破技术难点,成功试产,对于中国存储器厂商可能都不是问题;最困难的是第二个难关,产能爬坡,进入拼产品成本与价格的阶段。这两者联在一起、相辅相成,当成本增大时,产能爬坡的速率一定会放缓,很难马上扩充至5万到10万片。因为与对手相比,在通线时我们的产能仅为5000至1万片,对手已超过10万片,且其成品率近90%,而我们的成品率约为70%-80%,毋容置疑,成本差异非常明显,因此,要看我们的企业从资金方面能够忍受多长时间的亏损;第三个难关是专利纠纷,中国做DRAM怎么能不踩专利的“红线”,而且不可预测对手会如何出招,这是中国半导体业成长必须付出的代价。

  近期,三星、美光、海力士、英特尔以及东芝都纷纷开始扩充产能。从已有经验来看,面对中国存储器芯片制造的崛起,他们很可能会打“专利战”,同时也会打“价格战”,破除他们的垄断,将是一场持久战。

(责任编辑:)

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