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我国首批32层三维NAND闪存芯片将于年内量产

2018-04-13 15:25:15
来源:人民网 作者:范昊天 评论:0
导语:11日上午,位于武汉东湖高新区武汉未来科技城的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装,标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。
  11日上午,位于武汉东湖高新区武汉未来科技城的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装,标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段,中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

  据介绍,总投资240亿美元的国家存储器基地项目于2016年底正式开工,由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设。2020年全面建成后,将实现中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破。去年,基地成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,在填补中国企业芯片领域空白上迈出了重要一步。4月9日,芯片获得中国电子信息博览会金奖。

  据悉,目前我国通用存储器全部依赖进口。在去年国家存储器基地项目生产厂房提前一个月封顶、32层三维NAND闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上,如今又提前20天实现了芯片生产机台搬入。预计今年10月,项目一期建成投产,首批32层三维NAND闪存芯片将实现量产。明年底,64层闪存产品产能实现爬坡量产。中国“缺芯少屏”的历史将由此改写。

(责任编辑:韩梦晨)

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